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通过有限元分析模拟了VO2通道中电荷的积累，省完善天并通过理论计算验证了电子掺杂机制。然气d）有限元分析模拟的不同距离下VO2通道中的电荷密度分布。
c）TENG的实验过程：管道将PTFE和尼龙摩擦后分开40mm的距离并保持10秒，然后使两者相互接触。运输c）制造的TENG-VO2器件示意图及其工作原理。然而，价格机制由于VO2的相变过程对温度非常敏感，如果利用固体电介质层来施加栅压，则不可避免地产生漏电流或者电击穿，从而导致局部的焦耳热效应。
i）不同温度点的高电阻（RH）和低电阻（RL）的比率，形成表明在相变区（PTR）对电阻的调制更显著。五个红色圆圈（A-E）表示不同的相变中间状态，湖南通过TENG结构中的PTFE和尼龙层的接触和分离，进行下列电阻调制实验。
图2VO2膜的电阻-温度曲线图a）VO2通道的电阻-温度曲线，省完善天表明其金属-绝缘体相变（MIT）导致电阻具有高达三个数量级的突变。
作为典型的强关联氧化物，然气二氧化钒（VO2）的金属-绝缘体相变对电荷密度和电子轨道占据非常敏感。28日下午，管道小编朋友圈尽是各大高校发布的最新一次学科评估的表现。
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